隨著電子產(chǎn)品不斷邁向更高程度的集成化、小型化與智能化，電子元器件正面臨功率輸出提升與熱流密度激增的雙重挑戰(zhàn)。與此同時(shí)，半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛飛躍，特別是在新能源、電子信息技術(shù)及航空航天等前沿領(lǐng)域的持續(xù)革新，促使熱量產(chǎn)生量急劇攀升。在這一背景下，散熱性能成為了制約高功率設(shè)備進(jìn)一步發(fā)展的核心瓶頸。

 金剛石憑借其高熱導(dǎo)率特性，并得益于化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)的顯著進(jìn)步，已成為熱管理領(lǐng)域的明星材料。金剛石卓越的導(dǎo)熱能力不僅有效延長(zhǎng)了電子元器件的使用壽命，還極大地提升了設(shè)備的整體性能與運(yùn)行效率，為突破散熱難題提供了強(qiáng)有力的解決方案。

金剛石通過晶格振動(dòng)傳熱，碳原子產(chǎn)生振動(dòng)的量子能量較大，也就是振動(dòng)頻率很高，因此熱導(dǎo)率非常高。天然單晶金剛石的室溫(25℃)熱導(dǎo)率可達(dá)到22 W/(cm·K)，作為對(duì)比，金屬銅的熱導(dǎo)率約為4 W/(cm·K)，而傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料硅的熱導(dǎo)率不足2 W/(cm·K)。采用CVD法人工培育的金剛石，其室溫?zé)釋?dǎo)率通常也能達(dá)到10-20 W/(cm·K)。

碳方程在高端人造金剛石產(chǎn)品及MPCVD設(shè)備研發(fā)方面的顯著成果，不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體器件散熱技術(shù)的重大飛躍，更為高功率電子設(shè)備的性能提升與壽命延長(zhǎng)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持，對(duì)推動(dòng)相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與發(fā)展具有重要意義。