在選擇一臺比較好的MPCVD（微波等離子體化學氣相沉積）設備時，需要綜合考慮多個方面以確保設備能夠滿足您的具體需求。以下是幾個關鍵的考量點。

1、極限真空壓力與真空漏氣率

極限真空壓力是衡量設備性能的重要指標，行業(yè)極限標準為：1.3pa，然而極限真空壓力越小，真空漏氣率越低，這對提升產品品質和凈度等級至關重要，而真空漏氣率是保證生長環(huán)境免受環(huán)境干擾的重要因素，對產品的影響更為重要。碳方程MPCVD設備極限真空壓力達到0.5pa，真空漏氣率達到為：5e-10pam3/s。

在培育鉆石的過程中， 真空漏氣率過高會導致氮氣進入腔體，鉆石生長就會過快，進而影響鉆石的生長速度和品質，甚至使產品呈現(xiàn)咖色，降低其凈度等級。

2、離子形態(tài)的穩(wěn)定

離子形態(tài)的穩(wěn)定是確保設備能夠長時間穩(wěn)定運行的關鍵因素，也是最容易被忽視的一點，離子形態(tài)的不穩(wěn)定會使晶體表面發(fā)生溫度的變化和甲烷電離程度的波動，此時，因為離子形態(tài)的不同，就會有多晶的產生，從而影響產品的品質。

理想的離子球形態(tài)應該是扁平的，這樣可以確保晶體在生長過程中能夠均勻生長，減少中心與邊緣的生長效率差異，而離子球的形態(tài)也決定單爐能生長產品的數(shù)量。

碳方程10800系列設備，通過特殊的設計，采用金屬和全氟橡膠密封保證了設備的極限真空壓力及真空漏氣率，特殊的腔體形態(tài)，使其成為扁平形態(tài)，能夠使晶體能夠在整個生長過程中保持穩(wěn)定，極大地提升了產品的品質。

以鉆石生長260小時為例，中心及邊緣生長效率僅為1-2%之差；

3英寸多晶產品以生長目標為0.5毫米為例，最終中心及邊緣厚度偏差僅為0.018毫米。

總之，在選擇一臺性能卓越的MPCVD設備時，需要綜合考慮極限真空壓力與真空漏氣率、離子形態(tài)的穩(wěn)定性等多個方面。通過仔細比較和評估不同設備的特點和優(yōu)勢，選擇最適合您需求的設備。